1N1199A: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小91KB，共2页; 制造商Micro Commercial Components (MCC)

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1N1199A概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4

1N1199A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.35 V
JEDEC-95代码	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	240 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	12 A
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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MCC

Features

•

omponents

21201 Itasca Street Chatsworth

!"#

$ % !"#

1N1199A

thru

1N3673A

12 Amp

Recovery Rectifier

50 - 1000 Volts

DO-4

Low Cost

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Surge Current Capability

Low Leakage

Maximum Ratings

•

Operating Junction Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Maximum Thermal Resistance; 2.0°C/W Junction To Case

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Reccurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

1N1199A

1N1200A

1N1202A

1N1204A

1N1206A

1N3671A

1N3673A

---

35V

70V

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

1N1199A

Voltage

1N1200A

1N1202A

1N1204A

1N1206A-1N3673A

F(AV)

FSM

12 A

240A

= 150°C

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

INCH

MIN

10-32 UNF3A

.424

-----

.600

.422

.075

-----

.163

-----

.020

.060

MIN

MAX

Standard

Polarity

10.77

11.10

-----

12.82

15.24

20.32

10.72

11.50

1.91

4.44

-----

10.29

4.15

4.80

-----

7.87

-----

8.89

0.51

1.65

1.53

2.54

1.35V

= 12.0A;

= 25°C*

3000µA

2500µA

2000µA

1500µA

1000µA

= 25°C

DIM

MAX

Threads

.437

.505

.800

.453

.175

.405

.189

.310

.350

.065

.100

NOTE

∅

*Pulse test: Pulse width 300

µsec,

Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

1N1199A相似产品对比

	1N1199A	1N3671A
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, DO-4
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.35 V	1.35 V
JEDEC-95代码	DO-4	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	240 A	240 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	1	1
最高工作温度	175 °C	175 °C
最大输出电流	12 A	12 A
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V	800 V
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

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