Power Bipolar Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD |
| 包装说明 | TO-252D, 3/2 PIN |
| Reach Compliance Code | compli |
| 最大集电极电流 (IC) | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
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