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2SD1816G-Q-TMS-R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小252KB,共5页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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2SD1816G-Q-TMS-R概述

Small Signal Bipolar Transistor,

2SD1816G-Q-TMS-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz

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