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THM3210B0ASG-80

产品描述IC 1M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小119KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THM3210B0ASG-80概述

IC 1M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM

THM3210B0ASG-80规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SIMM
针数72
Reach Compliance Codeunknow
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
备用内存宽度16
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度33554432 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE

THM3210B0ASG-80相似产品对比

THM3210B0ASG-80 THM3210B0AS-80
描述 IC 1M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM IC 1M X 32 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 SIMM SIMM
针数 72 72
Reach Compliance Code unknow unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 80 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 16 16
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 33554432 bi 33554432 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 32 32
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 72 72
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX32 1MX32
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 SINGLE SINGLE
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