TC55W1600XB8,TC55W1600XB8 pdf中文资料,TC55W1600XB8引脚图,TC55W1600XB8电路-Datasheet-电子工程世界

TC55W1600XB8: 产品描述IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM; 产品类别存储存储; 文件大小544KB，共11页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC55W1600XB8概述

IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM

TC55W1600XB8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA48,6X8,32
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
长度	12 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm

TC55W1600XB8相似产品对比

	TC55W1600XB8	TC55W1600XB7
描述	IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM	IC 1M X 16 STANDARD SRAM, 85 ns, PBGA48, 10 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-48, Static RAM
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA48,6X8,32	LFBGA, BGA48,6X8,32
针数	48	48
Reach Compliance Code	unknow	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	100 ns	85 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
长度	12 mm	12 mm
内存密度	16777216 bi	16777216 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端子数量	48	48
字数	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,32	BGA48,6X8,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3 V	2.5/3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm
最小待机电流	1.5 V	1.5 V
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.1 V	3.1 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm	10 mm

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