TM4256GU9-12L,TM4256GU9-12L pdf中文资料,TM4256GU9-12L引脚图,TM4256GU9-12L电路-Datasheet-电子工程世界

TM4256GU9-12L: 产品描述256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30; 产品类别存储存储; 文件大小723KB，共22页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数

TM4256GU9-12L概述

256KX9 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, SIMM-30

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30
针数	30
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	PAGE
最长访问时间	120 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30
内存密度	2359296 bi
内存集成电路类型	DRAM MODULE
内存宽度	9
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
座面最大高度	16.51 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	NMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE

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