200mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH SPEED SATURATED SWITCHING |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
基于收集器的最大容量 | 3.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 500 MHz |
最大关闭时间(toff) | 75 ns |
最大开启时间(吨) | 60 ns |
VCEsat-Max | 0.6 V |
PN3640 | MMBT3640 | |
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描述 | 200mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | 200mA, 12V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH SPEED SATURATED SWITCHING | HIGH SPEED SATURATED SWITCHING |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.2 A |
基于收集器的最大容量 | 3.5 pF | 3.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V | 12 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 20 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | RECTANGULAR |
封装形式 | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W | 0.225 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | BOTTOM | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 500 MHz | 500 MHz |
最大关闭时间(toff) | 75 ns | 75 ns |
最大开启时间(吨) | 60 ns | 60 ns |
VCEsat-Max | 0.6 V | 0.6 V |
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