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SMBJ30CHM4G

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小186KB,共8页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SMBJ30CHM4G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

SMBJ30CHM4G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压40.7 V
最小击穿电压33.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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