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20CTQ150SPBF

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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20CTQ150SPBF概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

20CTQ150SPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SFM
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用HIGH POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.66 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流1030 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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20CTQ150SPbF, 20CTQ150-1PbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 10 A
20CTQ150SPbF
20CTQ150-1PbF
FEATURES
• 175 °C T
J
operation
Available
• Center tap configuration
• Low forward voltage drop
Base
common
cathode
2
Base
common
cathode
2
RoHS*
COMPLIANT
• High frequency operation
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
• Designed for industrial level
D
2
PAK
TO-262
DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier
technology allows for reliable operation up to 175 °C junction
temperature. Typical applications are in switching power
supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse
battery protection.
PRODUCT SUMMARY
I
F(AV)
V
R
2 x 10 A
150 V
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
t
p
= 5 µs sine
10 Apk, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
20
150
1030
0.66
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
20CTQ150SPbF
20CTQ150-1PbF
150
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Maximum average
forward current
See fig. 5
per leg
I
F(AV)
per device
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
I
FSM
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
E
AS
I
AR
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 A, L = 2 mH
Current decaying linearly to zero in 1 µs
Frequency limited by T
J
maximum V
A
= 1.5 x V
R
typical
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
50 % duty cycle at T
C
= 154 °C, rectangular waveform
20
A
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current per leg
See fig. 7
Non-repetitive avalanche energy per leg
Repetitive avalanche current per leg
1030
180
1.0
1
mJ
A
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
10
UNITS
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 94490
Revision: 11-Aug-08
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1

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20CTQ150SPBF 20CTQ150-1TRLPBF
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