M76DW52004BA90Z,M76DW52004BA90Z pdf中文资料,M76DW52004BA90Z引脚图,M76DW52004BA90Z电路-Datasheet-电子工程世界

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M76DW52004BA90Z: 产品描述SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73; 产品类别存储存储; 文件大小401KB，共27页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M76DW52004BA90Z概述

SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73

M76DW52004BA90Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA73,10X12,32
针数	73
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	90 ns
其他特性	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 4M X 8
JESD-30 代码	R-PBGA-B73
长度	11.6 mm
内存密度	33554432 bi
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	73
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA73,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3,3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

M76DW52004BA90Z相似产品对比

	M76DW52004BA90Z	M76DW52004BA70Z	M76DW52004TA90Z
描述	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-73
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA73,10X12,32	LFBGA, BGA73,10X12,32	LFBGA, BGA73,10X12,32
针数	73	73	73
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown
最长访问时间	90 ns	70 ns	90 ns
其他特性	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 4M X 8	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 4M X 8	STATIC RAM IS ORGANIZED AS 256K X 16; FLASH MEMORY IS ALSO ORGANIZED AS 4M X 8
JESD-30 代码	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73	R-PBGA-B73
长度	11.6 mm	11.6 mm	11.6 mm
内存密度	33554432 bi	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16
混合内存类型	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM
功能数量	1	1	1
端子数量	73	73	73
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2MX16	2MX16	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA73,10X12,32	BGA73,10X12,32	BGA73,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3,3/3.3 V	3,3.3 V	3,3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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