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S71NS128NA0BJWMZ2

产品描述Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA44, 7.70 X 6.20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-44
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共113页
制造商SPANSION
官网地址http://www.spansion.com/
标准  
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S71NS128NA0BJWMZ2概述

Memory Circuit, 8MX16, CMOS, PBGA44, 7.70 X 6.20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-44

S71NS128NA0BJWMZ2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SPANSION
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数44
Reach Compliance Codecompli
其他特性PSRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码R-PBGA-B44
JESD-609代码e1
长度7.7 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度6.285 mm

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