Flash, 512KX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SPANSION |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA80,8X10,40 |
针数 | 80 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 54 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK |
启动块 | TOP |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B80 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 16777216 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 32 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 16,30 |
端子数量 | 80 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA80,8X10,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 1.8/3.3,3.3 V |
编程电压 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.4 mm |
部门规模 | 2K,16K |
最大待机电流 | 0.00006 A |
最大压摆率 | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 11 mm |
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