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HYM71V64M1601TH-10

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
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文件大小253KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM71V64M1601TH-10概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144

HYM71V64M1601TH-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明,
针数144
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间8 ns
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

HYM71V64M1601TH-10相似产品对比

HYM71V64M1601TH-10 HYM71V64M1601LTH-10
描述 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 MODULE MODULE
针数 144 144
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns 8 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 144 144
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16MX64 16MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL

 
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