HY62QF16101CLLF-I-70,HY62QF16101CLLF-I-70 pdf中文资料,HY62QF16101CLLF-I-70引脚图,HY62QF16101CLLF-I-70电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY62QF16101CLLF-I-70

HY62QF16101CLLF-I-70: 产品描述Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小148KB，共8页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY62QF16101CLLF-I-70概述

Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48

HY62QF16101CLLF-I-70规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	48
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	6.3 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	6.2 mm

HY62QF16101CLLF-I-70相似产品对比

	HY62QF16101CLLF-I-70	HY62QF16101CSLF-I-85	HY62QF16101CLLF-I-10	HY62QF16101CLLF-I-85	HY62QF16101CSLF-I-70	HY62QF16101CSLF-I-10
描述	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	70 ns	85 ns	100 ns	85 ns	70 ns	100 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	6.3 mm	6.3 mm	6.3 mm	6.3 mm	6.3 mm	6.3 mm
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	6.2 mm	6.2 mm	6.2 mm	6.2 mm	6.2 mm	6.2 mm

HY62QF16101CLLF-I-70

HY62QF16101CLLF-I-70概述

HY62QF16101CLLF-I-70规格参数

HY62QF16101CLLF-I-70相似产品对比

推荐资源