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HY57V12820LT-H

产品描述Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
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文件大小139KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY57V12820LT-H概述

Synchronous DRAM, 64MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V12820LT-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数54
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e6
长度22.22 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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