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PN4117

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小19KB,共1页
制造商SIPEX
官网地址http://www.sipex.com/
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PN4117概述

Transistor,

PN4117规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SIPEX
Reach Compliance Codeunknow
FET 技术JUNCTION
JESD-609代码e0
最高工作温度135 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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N-Channel JFET
General Purpose Amplifier
CORPORATION
2N4117 – 2N4119 / 2N4117A – 2N4119A
PN4117 – PN4119 / PN4117A – PN4119A / SST4117 – SST4119
PIN CONFIGURATION
FEATURES
Leakage
Low Capacitance
Low
TO - 92
TO-72
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -40V
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65
o
C to +200
o
C
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55
o
C to +175
o
C
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300
o
C
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate above 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mW/
o
C
NOTE:
Stresses above those listed under "Absolute Maximum
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are
stress ratings only and functional operation of the device at these or
any other conditions above those indicated in the operational sections
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
G
D
C
S
G
D S
SOT-23
G
5007
D
S
PRODUCT MARKING (SOT-23)
SST4117
SST4118
SST4119
T17
T18
T19
ORDERING INFORMATION
Part
Package
Temperature Range
-55
o
C to +175
o
C
-55
o
C to +135
o
C
-55
o
C to +135
o
C
-55
o
C to +175
o
C
2N4117-19/A Hermetic TO-72
PN4117-19/A Plastic TO-92
SST4117-19 Plastic SOT-23
X2N4117-19/A Sorted Chips in Carriers
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
o
C unless otherwise specified)
SYMBOL
BV
GSS
PARAMETER
Gate-Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
I
GSS
A devices
A devices
V
GS(off)
I
DSS
g
fs
g
fs
g
os
C
iss
C
rss
Gate-Source Pinch-Off Voltage
Drain Current at Zero Gate Voltage (Note 1)
Common-Source Forward Transconductance (Note 1)
Common-Source Forward Transconductance (Note 2)
Common-Source Output Conductance
Common-Source Input Capacitance (Note 2)
Common-Source Reverse Transfer Capacitance (Note 2)
-0.6
70
60
3
3
1.5
4117/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-1.8
210
-1
80
70
5
3
1.5
4118/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-3
250
-2
100
90
10
3
pF
1.5
4119/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-6
330
µS
MIN MAX MIN MAX MIN MAX
UNITS
V
pA
nA
V
mA
TEST CONDITIONS
I
G
= -1µA, V
DS
= 0
V
GS
= -20V, V
DS
= 0
T
A
= +150
o
C
V
DS
= 10V, I
D
= 1nA
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, f = 1kHz
V
GS
= 0, f = 30MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1kHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
f = 1MHz
0.02 0.09 0.08 0.24 0.20 0.60
NOTES: 1.
Pulse test: Pulse duration of 2ms used during test.
2.
For design reference only, not 100% tested.
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