Flash, 2MX1, PDSO8, 4.90 X 6 MM, SOIC-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Silicon Laboratories Inc |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 4.90 X 6 MM, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000015 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 写保护 | HARDWARE |
| SST45VF020-10-4C-SA | SST45VF010-10-4C-SA | |
|---|---|---|
| 描述 | Flash, 2MX1, PDSO8, 4.90 X 6 MM, SOIC-8 | Flash, 1MX1, PDSO8, 4.90 X 6 MM, SOIC-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Silicon Laboratories Inc | Silicon Laboratories Inc |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | 4.90 X 6 MM, SOIC-8 | 4.90 X 6 MM, SOIC-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz | 10 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 100 | 100 |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 2097152 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 2000000 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2MX1 | 1MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | SPI | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000015 A | 0.000015 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm |
| 写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
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