2N7002DW-C,2N7002DW-C pdf中文资料,2N7002DW-C引脚图,2N7002DW-C电路-Datasheet-电子工程世界

2N7002DW-C: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小362KB，共2页; 制造商SECOS; 官网地址http://www.secosgmbh.com/; 标准

下载文档详细参数全文预览

2N7002DW-C概述

Transistor

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SECOS
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	compli
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.115 A
最大漏源导通电阻	7.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	5 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.2 W
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190