M364C0804BT0-C50,M364C0804BT0-C50 pdf中文资料,M364C0804BT0-C50引脚图,M364C0804BT0-C50电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M364C0804BT0-C50

M364C0804BT0-C50: 产品描述Fast Page DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小426KB，共21页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数选型对比全文预览

M364C0804BT0-C50概述

Fast Page DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168

M364C0804BT0-C50规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
最大待机电流	0.03 A
最大压摆率	0.58 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

M364C0804BT0-C50相似产品对比

	M364C0804BT0-C50	M364C0804BT0-C60	M364C0884BT0-C60	M364C0884BT0-C50
描述	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bi	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX64	8MX64	8MX64	8MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	8192	8192
最大待机电流	0.03 A	0.03 A	0.03 A	0.03 A
最大压摆率	0.58 mA	0.54 mA	0.42 mA	0.46 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)

推荐资源

stm32f103vet6外接铁电FM28V020发现的问题: [backcolor=rgb(222, 240, 251)]以前用单片机做的，正常工作很长时间，现在想转到stm32，采用fsmc,外接32K铁电FM28V020，一直不正常，现象是只能读出0x100-0x1FF的内容（正确），0x0-0xff也是0x100-0x1ff的内容，然后所有的地址内容不停循环0x100-0x1ff，NADV已经反向给74HC573，初始化程序在后面，[/backcolo...; foer stm32/stm8

请教一下怎么用NT-TR01F模块～～急！！！: 为什么把NT-TR01F模块一接为接收模式，模块就不断地产生数据，而且产生数据的速率很高。请各位高手帮帮忙解决一下，急啊～～谢谢啦！！！...; joakin RF/无线

DELPHI串口编程剖析: 1.串口通信的基本原理：一般计算机与外部设备通讯有两种方式：并行传送（Parallel ）：一次的传输量为8个位（1字节），通过并行端口，如打印机串行传送（Serial ）：一次只传输1个位，通过串行端口，如RS-232位与字节的概念：二进制中的每一位0和1，被叫做一个位，每8个位构成一个字节一个字节中最右面的位被称为第0位，最左面的位被称为第7位。传输过程中的字节类型：一般有两种。1.文本（字符...; LRXTL 单片机

RC耦合中电阻电容+A、B、AB类功率放大: 1.基本RC耦合放大电路稳压电阻：为稳定偏置电压而设置旁路电容：阻断稳压电阻上的交流通过。不加还会影响到放大倍数，使放大倍数减小。2.功率放大（使用变压器）B类为基本的互补输出级电路，会产生交越失真，解决：上一个预置的固定的略小于门限电压的偏置电压。另外B类功放对于扬声器产生的反电动势，没有起到截止作用，反电动势甚至反馈到前一级放大器电路中，这就使得功入的内阻剧增，阻尼系数变坏，甚至丧失，这样听...; fish001 模拟与混合信号

给ST的传感器提个小建议: 现在ST很多传感传感器的数字处理功能都非常强大，比如LSM6DSO32XTR除了一些常规功能外还集成了有限状态机和机器学习内核，比如有限状态机可以将要实现的功能配置到传感器，由传感器对数据自行处理从而减少MCU的介入，降低整体功耗。不过在很多场合，尤其在对功耗不敏感的应用时状态机的作用就不那么明显了。我在想类似集成状态机这样传感器是不是可以增加一个可编程的ROM，实现传感器配置数据掉电不丢失，这样...; littleshrimp MEMS传感器

编译的PLATFORM: A;在my-imx6-ek314平台，编译imx-test-3.0.35-4.1.0的使用的PLATFORM是哪个？readme提到编译的时候执行这个make PLATFORM=MXC27530EVB，，，，，，B:看一下imx-test-3.0.35-4.1.0/readme.txt文档make PLATFORM=MXC27530EVB LINUXPATH=/home/marsha/LINUX2...; 明远智睿Lan 工控电子

VxWorks移植到AT91RM9200的BSP定制过程

VxWorks是嵌入式实时操作系统，具有高性能、可裁减性好等特点，能支持多种微处理器(如PowerPC、X85、ARM、SPARC)；自问世以来，以其良好的町靠性和卓越的实时性被广泛地应用于通信、航空、航天等高精尖技术及实时性要求极高的领域中。BSP(Board Support Package，板级支持包)的作用是针对特殊的硬件平台，为操作系统内核提供操作接口，使操作系统能够独立于底层硬...[详细]
分析师问答：苹果2013财年Q1季报解读

北京时间1月24日，苹果公布了苹果今天发布了2013财年第一财季财报，该季度苹果营收为545.12亿美元，高于去年同期的463.33亿美元，创下历史最高纪录；净利润为130.78亿美元，比去年同期的130.64亿美元增长0.1%，同样创下历史最高纪录。随后苹果召开了季报电话会议，以下为该季度苹果电话会议中的分析师问答环节，苹果CEO库克和CFO奥本海默回答了分析师提出的相关问题： Kath...[详细]
ARM上网本不能运行Windows 7操作系统

据国外媒体报道，微软周三表示，其最新的Windows 7操作系统将不能运行在以ARM为处理器的上网本上。这无疑是对这家英国芯片制造商的沉重打击，ARM一直希望成为上网本领域的大玩家。　　英国芯片厂商ARM此前曾表示，今年公司计划在快速发展的上网本市场分得一杯羹，希望明年可以占据30%的市场份额。　　ARM此前表示，使用ARM处理器的上网本可以运行Linux操作系统。基于开放源代码的...[详细]
一种用于氩弧焊机的电源系统解决方案

1 引言本文讨论的焊接电源是电弧焊机中的核心部分，是用来对焊接电弧提供电源的一种专用设备。现有的焊接电源存在引弧困难、电流控制精度低、电网电压波动大等问题。众所周知，我国的工业电网采用三相四线制交流供电，频率为50Hz，相电压为220V，线电压为380V。而氩弧焊要求的电压一般大约为20V～40V，电流在几十至上千安。本文主要研究内容的难点是：对焊接...[详细]
苹果推iOS 13.3.1的公测版！

继之前的内测版后，现在苹果正式推出了iOS 13.3.1的公测版。　　iOS 13.3.1公测版除了修复系统Bug外，还提高系统稳定性，同时为屏幕时间增加了通信限制功能。　　之前在iOS 13.3正式版中，系统带来的其中一个新功能是屏幕使用功能的控制，有了这个功能家长可限制子女通过电话、FaceTime通话或信息联系的对象，也可通过子女的联系人列表管理显示在子女设备上的联系人，这对于家...[详细]
ST 4Mbit EEPROM存储芯片，让小型设备也能处理更多用户数据

半导体供应商意法半导体推出了新一代存储器芯片，集前所未有的存储容量与读写速度和可靠性于一身，新产品让我们每天使用的产品设备能够做更多的事情，让我们的生活和工作更丰富。意法半导体的新的存储器容量4Mbit的 EEPROM可让小型设备捕获更多的数据，通过串行SPI总线保存在存储器内。有了这款存储器，智能表记计等仪表设备能够提高数据记录量，从而更有效地管理能源网络，提供更人性化的计费方式；便携式...[详细]
歌尔携三产品系列亮相，涵盖VR/AR光学、MEMS传感器与SiP封测

CES2020展会如火如荼进行中，歌尔为我们带来了在光学、MEMS传感器、SiP封装等新产品，用于VR/AR显示、智能穿戴、TWS耳机等领域。歌尔是全球布局的科技创新型企业，主要从事声光电精密零组件及精密结构件、智能整机、高端装备的研发、制造和销售。歌尔围绕声学、光学、精密零组件和精密结构四大领域布局，其已经与消费电子领域众多知名的大厂有稳定的合作。这次CES上，歌尔在VR/AR领域...[详细]
全面屏、3D相机、无线充电 iPhone 8绝技不止一项

讯数码讯（文心）据BGR网站报道，在距离iPhone 8发布仅剩下3个月之际，大多数人都对iPhone 8传言中的全面屏感到激动并非是个秘密。这是有原因的：iPhone最近一次引入外观方面的变化是2014年——当时苹果发布了iPhone 6系列。然而，全面屏并非是吸引现有iPhone用户升级为iPhone 8的唯一原因。大量媒体都报道称，iPhone 8还将配置具有3D感知功能、革命性...[详细]
陆台韩日手机厂火并MWC

全球行动通讯大会（MWC）本月24日起，在西班牙巴塞隆纳登场，Android阵营新品将百花齐放，一般预料，包括大萤幕、高解析度画面及镜头升级可望成为标准配备，另外是否其他新的应用，也是外界关注焦点。随着品牌厂新机陆续上阵，手机零组件族群拉货效应备受期待。全球行动通讯大会受惠族群西班牙MWC是手机品牌厂上半年重头戏，通常都会精锐尽出，推出今年度旗舰机种，希望炒热市场话题，以提振买气，...[详细]
一种ADI Blackfin处理器介绍

　　Blackfin®处理器是一类专为满足当今嵌入式音频、视频和通信应用的计算要求和功耗约束条件而设计的新型16～32位嵌入式处理器。Blackfin处理器基于由ADI和Intel公司联合开发的微信号架构(MSA)，它将一个32位RISC型指令集和双16位乘法累加(MAC)信号处理功能与通用型微控制器所具有的易用性组合在了一起。在许多场合中免除了增设单独的异类处理器的需要。该能力极大地简化了硬件...[详细]
5G手机为什么会更费电？

早在去年高通发布骁龙855处理器的时候，谈到5G网络之时，不少读者都指出功耗问题。并且，在了解到骁龙855处理器需要外挂骁龙X50基带的时候，对于功耗的讨论更甚。　　那么，为什么5G手机会更费电呢？　　据《科技日报》报道，通信门户飞象网CEO项立刚表示，“5G手机肯定比4G手机的耗电量大。”在5G网络下，5G手机需要处理的任务更多，比如说网速更快的情况下，手机的数据处理能力以...[详细]
复杂RF环境下的 RFID 测试挑战

　　随着设备价格的下降及全球市场扩大，RFID应用正面临飞速发展。嵌入式RFID的使用量不断提高，随着泛在ID中心(UbiquitousIDCenter)和T引擎论坛(T-EngineForum)等协调性机构的形成，GSM协会现已支持将基于RFID的近场通信技术运用于手机中。　　RFID的一大挑战是在复杂的、甚至苛刻的RF环境中优化吞吐量或数据读取速度。无源RFID标签可以对射频范围内的任...[详细]
大学生最满意手机品牌排行小米居第九

　众所周知，年轻人是国内智能手机的主要消费群体，而大学生正是其中的主要力量，了解大学生在手机上的消费行为和心理，有助于厂商在产品和品牌上的战略计划实施。　　近日，全球知名研究机构GFK发布一项关于国内大学生的手机购买调查，其中“校园里手机品牌格局和满意度”数据显示，苹果和OPPO、vivo的校园存量市场占有率位居前三，小米、魅族和荣耀紧随其后。而在品牌满意度方面，市场占有率不错的小米，仅排第...[详细]
涡街流量计的特点与用途

涡街流量计是根据“卡门漩涡”原理制成的新型流量测量仪表。当一稳定的流体流经有一定长度的直管道时，撞击沉浸在流体中的非线性柱体，在流体的下游会产生漩涡（即卡门漩涡）。当流体的雷诺数（Re）在一定的范围内，漩涡的发生规律是稳定可靠的，漩涡发生的频率F由公式： F=（St * V）/d 确定其中，V为流速； d为柱体迎流面的宽度；St为斯特罗哈数。斯特罗哈数是一个无因次参数，下图表...[详细]
Jolt Capital收购并投资Dolphin Design 精心打造的混合信号IP业务

2024年11月5日，法国格勒诺布尔—— 专注于欧洲成长性深度科技的Jolt Capital今日宣布，已通过新成立的Dolphin半导体，收购了混合信号半导体IP解决方案领导者 - Dolphin Design的电源管理和信号处理IP业务（即“IP业务”），并承诺向Dolphin半导体投资2600万欧元。 Metrologic Group前总裁Laurent Monge被任命为Dolphin半导...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多