K8A2815ETM-TC7B0,K8A2815ETM-TC7B0 pdf中文资料,K8A2815ETM-TC7B0引脚图,K8A2815ETM-TC7B0电路-Datasheet-电子工程世界

K8A2815ETM-TC7B0: 产品描述Flash, 8MX16, 90ns, PBGA64, 9 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-64; 产品类别存储存储; 文件大小637KB，共47页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K8A2815ETM-TC7B0概述

Flash, 8MX16, 90ns, PBGA64, 9 X 9 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-64

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	64
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码	S-PBGA-B64
JESD-609代码	e0
长度	9 mm
内存密度	134217728 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	64
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	9 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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