Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 7 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最小待机电流 | 1.5 V |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 6 mm |
| K6F1016S4A-FI70 | K6F1016S4A-FI100 | K6F1016S4A-FI10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, BGA48,6X8,30 | TFBGA, | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数 | 48 | 48 | 48 |
| Reach Compliance Code | compli | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns | 100 ns | 100 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
| 长度 | 7 mm | 7 mm | 7 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 48 | 48 | 48 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX16 | 64KX16 | 64KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm | 6 mm | 6 mm |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装等效代码 | BGA48,6X8,30 | - | BGA48,6X8,30 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2.5 V | - | 2.5 V |
| 最大待机电流 | 0.000001 A | - | 0.000001 A |
| 最小待机电流 | 1.5 V | - | 1.5 V |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | - | 0.03 mA |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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