Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 12 A |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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