Small Signal Bipolar Transistor,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 270 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 140 MHz |
2SA1579FRAT106S | 2SA1579FRAT106R | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, | Small Signal Bipolar Transistor, |
厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | ROHM(罗姆半导体) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compli | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A | 0.05 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V | 120 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 270 | 180 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 140 MHz | 140 MHz |
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