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NTD18N06: 产品描述18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小846KB，共10页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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NTD18N06概述

18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3

NTD18N06规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	CASE 369C-01, DPAK-3
针数	3
制造商包装代码	CASE 369C-01
Reach Compliance Code	unknow
雪崩能效等级（Eas）	72 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	18 A
最大漏源导通电阻	0.06 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	235
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	54 A
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NTD18N06相似产品对比

	NTD18N06	NTD18N06-1G	NTD18N06T4	NTD18N06T4G	NTD18N06G
描述	18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3	18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3	18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3	18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3	18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
包装说明	CASE 369C-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3	CASE 369C-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3	LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数	3	3	3	3	3
制造商包装代码	CASE 369C-01	CASE 369D-01	CASE 369C-01	CASE 369C-01	CASE 369C-01
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknow
雪崩能效等级（Eas）	72 mJ	72 mJ	72 mJ	72 mJ	72 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (ID)	18 A	18 A	18 A	18 A	18 A
最大漏源导通电阻	0.06 Ω	0.06 Ω	0.06 Ω	0.06 Ω	0.06 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	e3	e0	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	3	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	235	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	54 A	54 A	54 A	54 A	54 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	YES	NO	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
湿度敏感等级	1	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	1

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