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FDS2582: 产品描述4.1A, 150V, 0.066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小964KB，共12页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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4.1A, 150V, 0.066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8

	FDS2582	FDS2582_NL
描述	4.1A, 150V, 0.066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8	4.1A, 150V, 0.066ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, SO-8
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
零件包装代码	SOT	SOT
包装说明	SO-8	LEAD FREE, SO-8
针数	8	8
Reach Compliance Code	unknow	unknown
雪崩能效等级（Eas）	252 mJ	252 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	150 V
最大漏极电流 (ID)	4.1 A	4.1 A
最大漏源导通电阻	0.066 Ω	0.066 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	1	1
端子数量	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ