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FDD8878: 产品描述35A, 30V, 0.0185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共13页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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FDD8878概述

35A, 30V, 0.0185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3

FDD8878规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Rochester Electronics
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	DPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
雪崩能效等级（Eas）	25 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	35 A
最大漏源导通电阻	0.0185 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

FDD8878相似产品对比

	FDD8878	FDU8878
描述	35A, 30V, 0.0185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3	35A, 30V, 0.0185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3
是否无铅	不含铅	不含铅
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
零件包装代码	TO-252AA	TO-251AA
包装说明	DPAK-3	IPAK-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
雪崩能效等级（Eas）	25 mJ	25 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	35 A	35 A
最大漏源导通电阻	0.0185 Ω	0.0185 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-251AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
湿度敏感等级	1	NOT SPECIFIED
元件数量	1	1
端子数量	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	YES	NO
端子面层	MATTE TIN	NOT SPECIFIED
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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