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2N3859A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共3页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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2N3859A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

2N3859A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)90 MHz

2N3859A相似产品对比

2N3859A
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
厂商名称 Rochester Electronics
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 60 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100
JEDEC-95代码 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 90 MHz

 
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