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D45C3

产品描述D45C3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小159KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

D45C3概述

D45C3

D45C3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code_compli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度140 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz

D45C3相似产品对比

D45C3 D45C11 D45C8 D45C4 D45C7 D45C5
描述 D45C3 TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220 D45C8 TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220 TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220 D45C5
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code _compli not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant _compli
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
配置 SINGLE Single Single Single Single SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 40 40 25 25 20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C 140 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W 30 W 30 W 30 W 30 W 1.6 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz 40 MHz 40 MHz 40 MHz 40 MHz
Base Number Matches - 1 1 1 1 -

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