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2SB1261-AZ

产品描述PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SB1261-AZ概述

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

2SB1261-AZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码MP-3
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码PRSS0004ZM-A3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
最大关闭时间(toff)2500 ns
最大开启时间(吨)500 ns

 
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