PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Renesas |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | MP-3 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | PRSS0004ZM-A3 |
Reach Compliance Code | compli |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |
最大关闭时间(toff) | 2500 ns |
最大开启时间(吨) | 500 ns |
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