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P4C164-10CWI

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共16页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
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P4C164-10CWI概述

Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-28

P4C164-10CWI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数28
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T28
内存密度65536 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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