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TH58V128DC

产品描述128 Mbit (16M x 8bit) CMOS NAND E2PROM (16M BYTE SmartMedia⑩)
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共32页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TH58V128DC概述

128 Mbit (16M x 8bit) CMOS NAND E2PROM (16M BYTE SmartMedia⑩)

TH58V128DC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码CARD
包装说明,
针数22
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.B.1
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-XXMA-X22
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量22
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织16MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
Base Number Matches1
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