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2SD1526

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M TYPE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小228KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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2SD1526概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, M TYPE PACKAGE-3

2SD1526规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

 
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