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15KP12

产品描述15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小473KB,共3页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
标准
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15KP12概述

15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

15KP12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW ZENER IMPEDANCE, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压13.3 V
击穿电压标称值13.3 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压22 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散15000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散7 W
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

15KP12相似产品对比

15KP12 HFE22-C/24-D1T21-R EA20QC06_2015 15KP43CA
描述 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE MINIATURE HIGH POWER LATCHING RELAY SBD 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

 
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