Micro−Packaged Diodes for ESD Protection AEC-Q101.revD Qualified, 8000-REEL
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconduc |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | R-PBCC-N2 |
制造商包装代码 | 714AB |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最小击穿电压 | 7 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PBCC-N2 |
JESD-609代码 | e4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.3 W |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-5 |
最大重复峰值反向电压 | 5.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
SZESD7571N2T5G | SZESD7571MXWT5G | |
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描述 | Micro−Packaged Diodes for ESD Protection AEC-Q101.revD Qualified, 8000-REEL | Micro−Packaged Diodes for ESD Protection AEC-Q101.revD Qualified, Wettable Flank package, 8000-REEL |
Brand Name | ON Semiconduc | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | R-PBCC-N2 | R-PDSO-N2 |
制造商包装代码 | 714AB | 711BG |
Reach Compliance Code | compli | unknown |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE |
最小击穿电压 | 7 V | 7 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PBCC-N2 | R-PDSO-N2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE |
极性 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.3 W | 0.3 W |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-5 | AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-5 |
最大重复峰值反向电压 | 5.3 V | 5.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM | DUAL |
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