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M29W010B55K6E

产品描述Flash, 128KX8, 55ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
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文件大小407KB,共19页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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M29W010B55K6E概述

Flash, 128KX8, 55ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32

M29W010B55K6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码QFJ
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e3
长度13.97 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)250
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
类型NOR TYPE
宽度11.43 mm

 
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