IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | WDIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| NMC87C257QE150 | NMC87C257QE200 | NMC87C257V200 | NMC87C257V150 | NMC87C257VE150 | NMC87C257VE200 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 32K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM | IC 32K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28, Programmable ROM | IC 32K X 8 OTPROM, 200 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | IC 32K X 8 OTPROM, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC | IC,EPROM,32KX8,CMOS,LDCC,32PIN,PLASTIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | WDIP, DIP28,.6 | WDIP, DIP28,.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown | unknow | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 150 ns | 200 ns | 200 ns | 150 ns | 150 ns | 200 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bi | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bi | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | UVPROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 28 | 28 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | WDIP | WDIP | QCCJ | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE, WINDOW | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD | QUAD | QUAD |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | - | - |
| 其他特性 | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS | TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS | - | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | - | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | - | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
