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NM27C040QE150

产品描述IC 512K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小356KB,共12页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NM27C040QE150概述

IC 512K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32, Programmable ROM

NM27C040QE150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明WINDOWED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码WDIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE, WINDOW
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.969 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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