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MPSH30

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小31KB,共1页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

MPSH30概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-92

MPSH30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)300 MHz

MPSH30相似产品对比

MPSH30 SE5051
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,50MA I(C),TO-92 TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,TO-72
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknown
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 20 40
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.175 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
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