2N3639,2N3639 pdf中文资料,2N3639引脚图,2N3639电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N3639

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2N3639: 产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,6V V(BR)CEO,80MA I(C),TO-106; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小88KB，共2页; 制造商National Semiconductor（TI ）; 官网地址http://www.ti.com

敬请期待详细参数

2N3639概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,6V V(BR)CEO,80MA I(C),TO-106

2N3639规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	National Semiconductor（TI ）
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.08 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-609代码	e0
最高工作温度	125 °C
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)	500 MHz

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