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2N3120

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB,共1页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

2N3120概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5

2N3120规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-609代码e0
最高工作温度200 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)130 MHz

2N3120相似产品对比

2N3120 2N3073
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5 TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-18
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 200 °C 200 °C
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.8 W 0.36 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 130 MHz 130 MHz
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