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MDM41000WM-10

产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDSO20
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文件大小522KB,共12页
制造商MOSA
官网地址http://www.mosanalog.com
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MDM41000WM-10概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, CDSO20

MDM41000WM-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称MOSA
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS/CBR/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-CDSO-N20
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
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