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MH8V725AZTJ-6

产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小629KB,共22页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MH8V725AZTJ-6概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

MH8V725AZTJ-6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度603979776 bi
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大待机电流0.0245 A
最大压摆率1.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

MH8V725AZTJ-6相似产品对比

MH8V725AZTJ-6 MH8V725AZTJ-5
描述 EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns
其他特性 CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bi 603979776 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
最大待机电流 0.0245 A 0.0245 A
最大压摆率 1.1 mA 1.19 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
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