Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, 0.450 INCH, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE; 1000 ERASE/PROGRAM CYCLES |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13.97 mm |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.56 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 11.43 mm |
M5M28F101J-15I | M5M28F101RV-15I | M5M28F101VP-15I | |
---|---|---|---|
描述 | Flash, 128KX8, 150ns, PQCC32, 0.450 INCH, PLASTIC, MO-052AE, LCC-32 | Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 | Flash, 128KX8, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | LCC | TSOP1 | TSOP1 |
包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32 |
针数 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | 150 ns |
其他特性 | SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE; 1000 ERASE/PROGRAM CYCLES | SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE; 1000 ERASE/PROGRAM CYCLES | SOFTWARE CONTROLLED PROGRAM/ERASE; 1000 ERASE/PROGRAM CYCLES |
命令用户界面 | YES | YES | YES |
数据轮询 | YES | YES | YES |
JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 13.97 mm | 18.4 mm | 18.4 mm |
内存密度 | 1048576 bi | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 |
字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | QCCJ | TSOP1-R | TSOP1 |
封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
编程电压 | 12 V | 12 V | 12 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.56 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO | NO | NO |
类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 11.43 mm | 8 mm | 8 mm |
Is Samacsys | - | N | N |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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