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WV3HG264M72EEU806D4SG

产品描述DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小181KB,共11页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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WV3HG264M72EEU806D4SG概述

DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

WV3HG264M72EEU806D4SG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度9663676416 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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