MT4HTF6464AZ-80EH1,MT4HTF6464AZ-80EH1 pdf中文资料,MT4HTF6464AZ-80EH1引脚图,MT4HTF6464AZ-80EH1电路-Datasheet-电子工程世界

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MT4HTF6464AZ-80EH1: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小308KB，共13页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT4HTF6464AZ-80EH1概述

DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240

MT4HTF6464AZ-80EH1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM,
针数	240
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e4
长度	133.35 mm
内存密度	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.7 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
宽度	30.175 mm

MT4HTF6464AZ-80EH1相似产品对比

	MT4HTF6464AZ-80EH1	MT4HTF6464AIZ-800H1	MT4HTF6464AIZ-80EH1	MT4HTF6464AIZ-1GAH1	MT4HTF6464AZ-1GAH1	MT4HTF6464AIZ-667H1
描述	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240	DDR DRAM Module, 64MX64, CMOS, HALOGEN FREE, UDIMM-240
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,	DIMM,
针数	240	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknow	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
长度	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm	133.35 mm
内存密度	4294967296 bi	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.7 mm	2.7 mm	2.7 mm	2.7 mm	2.7 mm	2.7 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	30.175 mm	30.175 mm	30.175 mm	30.175 mm	30.175 mm	30.175 mm
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology

MT4HTF6464AZ-80EH1

MT4HTF6464AZ-80EH1概述

MT4HTF6464AZ-80EH1规格参数

MT4HTF6464AZ-80EH1相似产品对比

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