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MT48LC4M4R1RG-12TR

产品描述Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44
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文件大小89KB,共2页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT48LC4M4R1RG-12TR概述

Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44

MT48LC4M4R1RG-12TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2-R,
针数44
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式2 BANK PAGE RANDOM AND BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e3
长度18.41 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量44
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织4MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

MT48LC4M4R1RG-12TR相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 Synchronous DRAM, 4MX4, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP TSOP
包装说明 TSOP2-R, TSOP2-R, TSOP2-R, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-44
针数 44 44 44 44 44 44
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 2 BANK PAGE RANDOM AND BURST 2 BANK PAGE RANDOM AND BURST 2 BANK PAGE RANDOM AND BURST 2 BANK PAGE RANDOM AND BURST 2 BANK PAGE RANDOM AND BURST 2 BANK PAGE RANDOM AND BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 16777216 bi 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 44 44 44 44 44 44
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2-R TSOP2-R TSOP2-R TSOP2-R TSOP2-R TSOP2-R
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

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