电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT16JSS51264HZ-1G1A1

产品描述DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204
产品类别存储    存储   
文件大小375KB,共21页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT16JSS51264HZ-1G1A1概述

DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204

MT16JSS51264HZ-1G1A1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数204
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N204
内存密度34359738368 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG

MT16JSS51264HZ-1G1A1相似产品对比

MT16JSS51264HZ-1G1A1 MT16JSS51264HIZ-1G4XX MT16JSS51264HIZ-1G1XX MT16JSS51264HZ-1G4XX
描述 DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 SODIMM SODIMM SODIMM SODIMM
包装说明 DIMM, LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204 LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204 LEAD FREE, MO-268, SODIMM-204
针数 204 204 204 204
Reach Compliance Code unknow unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XZMA-N204 R-XZMA-N204 R-XZMA-N204 R-XZMA-N204
内存密度 34359738368 bi 34359738368 bit 34359738368 bi 34359738368 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 204 204 204 204
字数 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
组织 512MX64 512MX64 512MX64 512MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG

推荐资源

热门文章更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 157  314  1237  1523  1574 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved