18 A, 200 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-254AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas) | 450 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.25 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA |
JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFM240 | JANTX2N7219 | JANTXV2N7219 | |
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描述 | 18 A, 200 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas) | 450 mJ | 450 mJ | 450 mJ |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 18 A | 18 A | 18 A |
最大漏源导通电阻 | 0.25 Ω | 0.25 Ω | 0.25 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 72 A | 72 A | 72 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
参考标准 | - | MIL-19500/596 | MIL-19500/596 |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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