Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 130V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | R-PSSO-G1 |
Reach Compliance Code | compli |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压 | 159 V |
最小击穿电压 | 144 V |
击穿电压标称值 | 151.5 V |
外壳连接 | CATHODE |
最大钳位电压 | 209 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G1 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 15000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 2.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 130 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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