IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bi |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 24 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流 | 0.04 A |
最大压摆率 | 0.09 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
27HC641-70B/XB | 27HC641-45B/XA | 27HC641-55B/UX | 27HC641-55M/XX | 27HC641-70B/UX | 27HC641-70B/XA | 27HC641-70B/XX | 27HC641-70M/UX | |
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描述 | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,LLCC,28PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,LLCC,28PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | IC,EPROM,8KX8,CMOS,LLCC,28PIN,CERAMIC |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow |
最长访问时间 | 70 ns | 45 ns | 55 ns | 55 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T24 | R-XDIP-T24 | S-XQCC-N28 | R-XDIP-T24 | S-XQCC-N28 | R-XDIP-T24 | R-XDIP-T24 | S-XQCC-N28 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
端子数量 | 24 | 24 | 28 | 24 | 28 | 24 | 24 | 28 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
封装代码 | DIP | DIP | QCCN | DIP | QCCN | DIP | DIP | QCCN |
封装等效代码 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | LCC28,.45SQ | DIP24,.6 | LCC28,.45SQ | DIP24,.6 | DIP24,.6 | LCC28,.45SQ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | YES | NO | YES | NO | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD |
筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | - | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | - |
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